華人科學家用博蘊通管式爐成功研制原子級薄晶體管

時間: 2023-06-15 00:57:19     來源: 南京博蘊通儀器科技有限公司

今日美國麻省理工大學的半導體研究團隊用博蘊通管式爐成功開發出一種基于“二硫化鉬的原子級薄晶體管”，這種晶體管將給飲片帶來革命性的發展，毫不客氣的說，未來的芯片將出現顛覆性的變化。

 

但很意外的是，美國或許又實現了芯片意義上的一種“0”的突破，甚至《自然》雜志認為，這將改寫芯片的歷史。而近日美國麻省理工大學的半導體研究團隊成功開發出一種基于“二硫化鉬（MoS2）的原子級薄晶體管”，這種晶體管將給芯片帶來革命性的發展，毫不客氣的說，未來的芯片將出現顛覆性變化。

 

要知道我們傳統的芯片需要由塊狀材料制作，然后通過不斷的打磨制作成納米級別的芯片，每個級別的芯片都是由多個晶體管堆疊起來，但這樣會帶來更大的困難。于是不少的科學家們都朝著用超薄的二維材料制造晶體管，每個二維材料僅有三個原子大小，這樣一來就能實現更強大的芯片。

 

但隨之而來的問題則是將硅放在二硫化鉬晶圓上，需要超過600攝氏度的高溫才行，而一般的硅晶體和集成電路在400攝氏度就會出現損壞。因此麻省理工大學的研究團隊朱佳迪帶領自己的團隊，將低溫生長區與高溫硫化物前體分解區分離，可以通過金屬有機化學氣相沉積法，以低于300℃的溫度合成二維材料，并直接在8英寸的二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上生長，無需任何轉移過程。

這意味著一個芯片巨大的格局將要被改變，因為這種方法不僅極大的節省材料，保證芯片的順暢，還能節約時間，如果說一塊芯片的出現需要進行一天時間的亮化，但使用二硫化鉬（MoS2）的原子級薄晶體管”所需要的時間僅需60分鐘左右。

 

可以說朱佳迪這位華人科學家為芯片的革命性突破做出巨大的歷史性貢獻，即便在科研強者如云的麻省理工大學里，朱佳迪都是以第一學術論文主編的身份，甚至他的導師說的：朱佳迪的能力，就猶如NBA中的“科比”。

如果朱佳迪團隊的這個技術一旦成熟商業化之后，這意味著以后造芯片，或許可以像建大樓一樣，把二維材料一層層地堆砌上去，將進一步把超級計算機、人工智能等帶來顛覆性變化，都說科學無國界，但科學家卻是有國界的。

 

當看到我們的華人科學家創造歷史時，國人心中多少都有點遺憾，畢竟我們都需要有一個科學家能帶領中國芯片走出當前困境，創造歷史。